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陈朝晖博士， 现任东南大学集成电路学院首席教授， 国家特聘专家。历任上海集成电路材料研究院首席专家，中国科学院微电子所研究员，美国metamagnetics公司首席技术官，美国intel公司资深科学家等, 兼职美国qorvo公司和美国东北大学顾问。陈朝晖博士有着20多年半导体（包括si,gaas,sic及gan）先进技术研发与产业化经验，长期从事新型材料，新型工艺，新型器件及集成技术研发，是微波毫米波薄膜器件和集成技术的国际专家，这一领域的技术开拓者之一，早年参与研发的小型化可集成环形器和频选限幅器已应用到先进雷达和电子对抗系统，磁性片上集成电感成为intel公司量产技术。陈朝晖博士在新型电子器件，柔性电子器件，能源采集存储技术上积累了材料，器件设计，工艺开发与集成经验，有美国及世界（pct）授权专利15项，多次完成国际大会特邀报告, 在ieee/iedm, physics review b, apl, acs nano 等刊物发表过30 篇文章。 陈朝晖博士2017年受邀回国筹建新型器件与集成技术实验室，现致力于相关的产学研用工作。陈朝晖博士的研究兴趣包括能改变未来电子器件应用的高性能能源采集与储技术存，新型毫米波器件及微系统集成技术，可工程化的超材料制备与应用技术等。