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（1）2010年于中国矿业大学电气工程及其自动化专业获学士学位；

（2）2013年于东南大学集成电路工程专业获硕士学位（导师：孙伟锋）；

（3）2018年于东南大学微电子学与固体电子学获博士学位（导师：孙伟锋；丁德胜）。

（1）2013-2014年就职于美国芯源系统有限公司（mps）；

（2）2018-2019年于香港科技大学从事访问学者科研工作（kevin j. chen教授团队）；

（3）2018-2020年于东南大学从事博士后科研工作（合作导师：赵剑锋教授）；

（4）2020年-至今东南大学专任教师，副高级。

《功率集成电路设计基础》，本科课程，48学时；

《模拟集成电路版图》，硕士课程，32学时。

著作：《高压厚膜 soi-ligbt 器件关键技术》，人民邮电出版社，张龙，孙伟锋，刘斯扬等著。

论文代表作：

（1）long zhang, j. zhu, w. sun, m. chen, m. zhao, x. huang, j. chen, y. qian, and l. shi, novel snapback-free reverse-conducting soi-ligbt with dual embedded diodes, ieee trans. electron devices, vol. 64, no. 3, pp. 1187-1192, mar. 2017, doi: 10.1109/ted.2017.2648851.

（2）long zhang, j. zhu, w. sun, m. zhao, j. chen, x. huang, d. ding, j. chen, and l. shi, a u-shaped channel soi-ligbt with dual trenches, ieee trans. electron devices, vol. 64, no. 6, pp. 2587-2591, jun. 2017, doi: 10.1109/ted.2017.2696258.

（3）long zhang, j. zhu, w. sun, m. zhao, j. chen, x. huang, l. shi, j. chen, and d. ding, low-loss soi-ligbt with dual deep-oxide trenches, ieee trans. electron devices, vol. 64, no. 8, pp. 3282-3286, aug. 2017, doi: 10.1109/ted.2017.2712568.

（4）long zhang, j. zhu, m. zhao, s. liu, w. sun, and l. shi, low-loss soi-ligbt with triple deep-oxide trenches, ieee trans. electron devices, vol. 64, no. 9, pp. 3756-3761, sep. 2017, doi: 10.1109/ted.2017.2731518.

（5）long zhang, j. zhu, s. cao, j. ma, s. li, s. liu, w. sun, j. zhao, and l. shi, optimization of vce plateau for deep-oxide trench soi lateral igbt during inductive load turn-off, ieee trans. electron devices, vol. 65, no. 9, pp. 3862-3868, sep. 2018, doi: 10.1109/ted.2018.2857838.

（6）long zhang, j. zhu, j. ma, s. cao, a. li, y. zou, s. li, w. sun, j. zhao, l. shi, y. gu, and s. zhang, 500-v silicon-on-insulator lateral igbt with w-shaped n-typed buffer and composite p-typed collectors, ieee trans. electron devices, vol. 66, no. 3, pp. 1430-1434, mar. 2019, doi: 10.1109/ted.2018.2890545.

（7）long zhang, j. zhu, j. ma, s. cao, a. li, s. li, r. ye, w. sun, j. zhao, and l. shi, turn-off transient of superjunction soi lateral igbts: mechanism and optimization strategy, ieee trans. electron devices, vol. 66, no. 3, pp. 1409-1415, mar. 2019, doi: 10.1109/ted.2019.2894813.

（8）long zhang, j. zhu, s. cao, j. ma, a. li, j. wei, g. lyu, s. li, s. li, j. wei, w. wu, w. sun, and k. chen, mechanism and novel structure for di/dt controllability in u-shaped channel silicon-on-insulator lateral igbts, ieee electron device lett., vol. 40, no. 10, pp. 1658-1661, oct. 2019, doi: 10.1109/led.2019.2937399.

功率半导体器件与集成电路方向：

（1）硅基集成型器件及bcd技术；

（2）氮化镓（gan）集成型器件与全集成技术；

（3）碳化硅（sic）集成型器件及可靠性。

（1）主持国家自然科学基金1项；（2）主持中国博士后科学基金面上基金1项；（3）主持中国博士后科学基金特别资助1项；（4）主持江苏省博士后科研资助项目1项；（5）参与国家自然科学基金2项；（6）参与江苏省自然科学基金1项；（7）参与江苏省科技成果转化专项资金项目1项。从事过600v超结vdmos，沟槽栅 dmos，100v/600v/1200v体硅高低压集成工艺与器件，550v soi全集成工艺及高压器件等项目的研发。目前主要从事soi高压器件，sic集成器件和工艺，gan集成器件和工艺的开发和研究。

2020年底累计发表sci论文45篇，发表会议论文19篇，申请中国发明专利23项。与无锡华润上华半导体有限公司合作开发了国内首个550v高压soi bipolar-cmos-dmos-igbt（bcdi）工艺平台（2014-2020年），所研发的高压soi-ligbt器件关断速度、电流密度、短路能力均已领先于国外同类产品，并完成了单片智能功率芯片的验证，2021年初实现了该类芯片的国产化。

（1）2020年入选“电子信息前沿青年学者出版工程”；

（2）2019年获“中国电子学会优秀博士学位论文”；

（3）2019年获“东南大学优秀博士学位论文”。